類型:報警器 | 品牌:JRC | 型號:NJM3414AM | 功率:1 | 用途:電腦 | 封裝:SOP/DIP
產品類型:其他 | 是否進口:是 | 品牌:ANALOGPOWER | 型號:AM3444N-T1-PF | 材料:其他 | 封裝:SOT-23 | 工作溫度范圍:150（℃） | 功耗:W | 針腳數:3 | 批號:13+
≥1 PCS
￥0.10
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT3904 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23
≥3 K
￥19.50
類型:報警器 | 品牌:JRC | 型號:NJM3414AM | 功率:1 | 用途:電腦 | 封裝:SOP/DIP | 批號:new
品牌:Zetex/捷特科 | 型號:FDV360P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
≥1 個
￥0.60
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF6217TRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 類型:電源模塊 | 處理器速度:快 | 封裝:S0-8
≥100 個
￥0.55
品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRFD110PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:電源模塊 | 處理器速度:快 | 封裝:DIP-4
≥100 個
￥0.55
應用范圍:放大 | 品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:BF840 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.25 | 集電極最大允許電流ICM:0.025 | 截止頻率fT:380
≥10 PCS
￥1.00
應用范圍:放大 | 品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:CT60AM18F | 封裝形式:TO3P/TO3PL | 最大漏極電流:100 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數:100
≥5 PCS
￥1.00
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT3904-1AM | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:5.6 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否
≥3000 PCS
￥0.03
應用范圍:功率 | 品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:BCR30AM | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:N | 擊穿電壓VCBO:N | 集電極最大允許電流ICM:N | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:N | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是
≥50 PCS
￥1.20
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOL1408 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:SO-8
≥100 個
￥0.23
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4409? | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:SOP-8?
≥100 個
￥0.21
品牌:ST/意法 | 型號:TIP112/117 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:DIP/SOP
≥100 個
￥0.40