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品名:鎳鋅鐵氧體 | 飽和磁感應強度:6000 | 初始磁導率:2000 | 矩形比:25 | 矯頑力:500（A/m） | 剩磁:2（mT） | 居里溫度:600（℃） | 密度:520（g/cm3） | 工作溫度:220 | 材料牌號:ZCAT2436-1330

品牌:FUJI/富士通 | 型號:YG901C2 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:三極管 | 擊穿電壓VCBO:200 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 應用范圍:功率

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:B834 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGAAS鋁鎵砷

品牌:IR/FSC | 型號:IRF730/740 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:ST/意法 | 型號:75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:CTR美國通信晶體管 | 型號:HV82 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSH25N40A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ46 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K1120 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 150W:TO-3P | 8A:1000V

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K1350 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 15A:200V | 45W:TO-220

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K2996 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 10A:600V

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K2761 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 10A:600V

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K3067 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 3A:600V

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K3568 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 12A:500V

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K2847 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 8A:900V

品牌:Samsung/三星 | 型號:SSH70N10A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:東芝 | 型號:K525 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ30 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:東芝 | 型號:K386 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

應用范圍:功率 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SD2012 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型