品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXTH50N20 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:SB肖特基勢壘柵 | 最大漏極電流:50 | 跨導:1 | 開啟電壓:200 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥100 個
¥1.00