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品牌:RS | 型號:AP9962AGH | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:& | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:IGBT絕緣柵比極

加工定制:否 | 品牌:聚力GL | 型號:GUF-20B-300k | 材質:金屬外殼 | 最大電壓:550V（V） | 主要用途:熱處理，退火，表面淬火 | 最大輸入有效功率:20kw | 最大輸入電流:30A

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IR21064S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 屬性:屬性值

品牌:WG | 型號:10N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 耐壓:600V | 電流:10A

品牌:ST/意法 | 型號:W60N10 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:P55NF06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 備注:ST全新原裝正品 | 產地:菲律賓/中國 | 年份:2012

品牌:威思頓 | 型號:1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:威思頓 | 型號:WGU1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:ST/意法 | 型號:STD155N3H6 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:SKW30N60HS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:通信IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDA50N50 | 封裝:TO-3P | 批號:12

種類:IGBT 晶體管 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IHW30N60T

種類:場效應管 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IHW20N120R

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGL40N120 | 封裝:TO-264 | 批號:11+

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGL40N120AND | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UHF/超高頻 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGL60N100BNTD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SGH80N60UFD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:SGP30N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SGP23N60UF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:仙童 | 型號:IKW25N120 | 功率:- | 用途:儀器 | 特色服務:- | 封裝:TO-3P | 批號:12+