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種類:場效應管 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG20N60C3D

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:1N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HI-IMP/高輸入阻抗 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDS9952A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N 和 P 溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 屬性:屬性值

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG20N60A4D | 用途:UHF/超高頻 | 封裝:TO-247 | 批號:12+ | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET)

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG18N120BND | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG11N120CND | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTP5N120BND | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGH40N65UFD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UHF/超高頻 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGH40N60SFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UHF/超高頻 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRGP50B60PD1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SGH40N60UFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRFP32N50KPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:TO-247-3 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

類型:其他IC | 品牌:ON/安森美 | 型號:NGD8201NT4G | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:耗盡型

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NGB15N41CL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:通信IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRGP4063D IRGP4063 | 封裝:TO-247 | 批號:14+

品牌:威思頓 | 型號:WFF10N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IKW75N60T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IKW20N60T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IHW30N160R2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IGP50N60T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道