品牌:IR | 型號:IRF740STRLPBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 封裝:TO-263
≥100 個
¥1.48
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF830,IRF840,IRF740,IRF730 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
≥1000 個
¥0.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥50 個
¥0.40
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
100-999 個
¥1.85
1000-4999 個
¥1.82
≥5000 個
¥1.80
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥2.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740SPBF IRF740NSPBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個
¥1.90
品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥1.65
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740STRLPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥1.50
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740ASPBF | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 最大漏極電流:100 | 跨導:100 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:10 | 材料:N-FET硅N溝道 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 夾斷電壓:100 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:100 | 極間電容:100 | 最大耗散功率:100
≥1000 個
¥1.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740STRLPBF-墨西哥 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體
≥50 個
¥0.10
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740STRLPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:10 | 跨導:10 | 開啟電壓:400 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數:0.6 | 極間電容:0.5 | 最大耗散功率:125
≥1 個
¥0.10
品牌:進口拆機 | 型號:IRF40A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥100 個
¥0.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840 TO-220 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 關斷速度:普通 | 極數:二極 | 封裝材料:金屬封裝
≥1000 個
¥1.68