品牌:IR | 型號:IRF740STRLPBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 封裝:TO-263
≥100 個
￥1.48
品牌:KIA | 型號:KIA740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
≥100 個
￥1.50
品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:IRF740 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥1000 個
￥0.60
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源
≥50 個
￥0.10
品牌:RENESAS/瑞薩 | 型號:IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
≥1000 個
￥1.85
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥10 個
￥2.00
10-99 個
￥2.60
100-799 個
￥2.20
≥800 個
￥1.90
10-99 個
￥3.20
100-999 個
￥2.80
≥1000 個
￥2.60
品牌:IR | 型號:IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插
≥50 個
￥1.50
類型:其他IC | 品牌:IR | 型號:IRF740 | 功率:標準 | 封裝:TO-220 | 批號:13+
≥5 PCS
￥1.86
≥1 個
￥2.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)
100-999 個
￥2.00
1000-4999 個
￥1.98
≥5000 個
￥1.95
品牌:進口/臺灣/國產 | 型號:IRF740PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
￥0.01
品牌:SLT/實力通 | 型號:IRF740（TO-220) | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個
￥1.35
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個
￥0.92
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF830，IRF840，IRF740，IRF730 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
≥1000 個
￥0.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF530N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:12+ | 針腳數:3 | 封裝:220
≥1 個
￥1.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HA/行輸出級 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
≥1 個
￥1.00