類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740 | 封裝:TO-220 | 批號:12+
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740PBF | 封裝:TO-220AB | 批號:12+ | 產品:IRF740PBF
≥1 個
¥0.10
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740SPBF IRF740NSPBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個
¥1.90
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740PBF | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝:TO-220 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道
100-499 個
¥1.60
≥500 個
¥1.55
品牌:JZ 集正 | 型號:IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 千克
¥1.22
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740 | 功率:1 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝:to-220 | 批號:2012 | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:耗盡型
≥10 個
¥1.88
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740PBF | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型
≥1 個
¥2.35
品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:TO-220-3
≥1 個
¥1.00
≥1 K
¥1.00
品牌:SEMIWILL | 型號:IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF730PBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
≥100 個
¥0.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740B | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:TO-220-3 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
≥100 個
¥0.50
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740 | 封裝:TO220 | 批號:2014 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
≥10 個
¥2.30
品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:IRF740B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:硅(Si)
≥1 個
¥0.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1-999 個
¥1.70
1000-1999 個
¥1.50
≥2000 個
¥1.35
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
¥1.40
品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF740PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220AB
≥1 個
¥1.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 屬性:屬性值
≥50 個
¥1.50