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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF830，IRF840，IRF740，IRF730 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 封裝形式:直插型 | 應用范圍:功率

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:20 | 夾斷電壓:550 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740ASPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SIT靜電感應 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740PBF | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SIT靜電感應 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740 | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220 | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740B | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:TO-220-3 | 材料:GaAS-FET砷化鎵

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740 | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220 | 發貨期限:3 | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 開啟電壓:110 | 夾斷電壓:250 | 最大耗散功率:600

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740B | 功率:11 | 用途:影碟機 | 封裝:TO-220 | 批號:11+

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740B/IRFS740B TO-220/F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1