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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840，IRF830 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF830，IRF840，IRF740，IRF730 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF840ASTRLPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF840AS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 封裝形式:貼片型 | 封裝材料:塑料封裝 | 應用范圍:功率

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840AS IRF840S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:L2203N IRL2203N L2203 IRF840A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:HEMT高電子遷移率 | 跨導:251 | 開啟電壓:1200 | 低頻噪聲系數:010 | 最大耗散功率:0

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840LCL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:100 | 跨導:100 | 開啟電壓:10 | 夾斷電壓:100 | 低頻噪聲系數:10 | 極間電容:1100 | 最大耗散功率:100

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840AS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:100 | 跨導:110 | 開啟電壓:10 | 夾斷電壓:100 | 低頻噪聲系數:10 | 極間電容:1100 | 最大耗散功率:100

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840ASTRL | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:8 | 跨導:12 | 開啟電壓:500 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數:0.5 | 極間電容:1..2 | 最大耗散功率:125

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840 TO-220 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 關斷速度:普通 | 極數:二極 | 封裝材料:金屬封裝