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品牌:ST/意法 | 型號:75NF75 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 結構:臺面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否 | 應用范圍:功率

品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:12+ | 封裝:TO-220

品牌:ST/意法 | 型號:STP60NF06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:· | 開啟電壓:75 | 夾斷電壓:75

品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 開啟電壓:75 | 夾斷電壓:80

品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 P75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:1

品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF20 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:D-G雙柵四極 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:10+ | 封裝:TO-220

品牌:TRUESEMI | 型號:STP75NF75/TSP75N75M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 封裝:TO-220 | 批號:11+ | 是否提供加工定制:否

品牌:ST/意法 | 型號:STP55NF06 STP60NF06 STP75NF75 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:ST/意法 | 型號:75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:65NF06/STP65NF06 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMDT5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-363 | 集電極最大耗散功率PCM:0.2 | 集電極最大允許電流ICM:0.2 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:100 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是

品牌:國產 | 型號:STP140NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:國產 | 型號:STP75NF75 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 功率:11 | 封裝:TO-220 | 批號:11+