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品牌:進口/臺灣/國產 | 型號:7580 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵

品牌:進口/臺灣/國產 | 型號:75NF68 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HG/高跨導 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

應用范圍:放大 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:RU7088R | 材料:硅(Si)

品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STB75NF75T4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:KIA | 型號:KIA75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:國產 | 型號:WFP75N08 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | --:--

品牌:Hitachi/日立 | 型號:75N07GP | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | --:--

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 封裝:TO-220 | 批號:13+

品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:STB75NF75T4 | 功率:0.01 | 封裝:D2PAK | 批號:13+

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:STB140NF75T4 | 功率:0.01 | 封裝:D2PAK | 批號:13+

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 功率:0.01 | 封裝:TO220 | 批號:13+

品牌:ST/意法 | 型號:75N75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:STP130NH02L STTA1212D STP22NM50FP STW34NB20 | 型號:STP12NM50N STTA1206DI STP21N05L STW220NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SB肖特基勢壘柵 | 芯數:STP200NF04 STW10NK60Z STP32N05 T1010NH | 應用范圍:STP13NK60ZFP STTA15R06D STP22NM60 STW50NB20 | 線長:STP20N10LFP STW12NC60 STP38N06 T135-800H

品牌:ST | 型號:STP75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:華之美 | 型號:HM75N80 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道 | 兼容:STP75NF80， STP75NF75， IRF1010E， NEC4145， AOT430， 2 | 封裝:TO-220