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應用范圍:功率 | 品牌:SANKEN | 型號:SE135 | 加工定制:否

應用范圍:帶阻尼 | 品牌:進口 | 型號:IXGM40N60A | 類型:功放IC | 批號:金封管系列

應用范圍:功率 | 品牌:進口 | 型號:BUF420A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應用范圍:功率 | 品牌:進口拆機 | 型號:BU508DF BUF420A BU508A BU508D | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型

應用范圍:功率 | 品牌:SanKen/三墾 | 型號:2SC4706 | 材料:硅(SI)，硅(SI)，硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:--- | 集電極最大耗散功率PCM:60 | 集電極最大允許電流ICM:16 | 截止頻率fT:2

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2545 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

應用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:BC556A BC556B | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:22 | 集電極最大允許電流ICM:22 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:33 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:11

應用范圍:功率 | 品牌:HARRIS/哈里斯 | 型號:4N100 | 材料:硅(Si)

應用范圍:功率 | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SUP75N06 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 種類:絕緣柵(MOSFET)

應用范圍:達林頓 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號:C3461 2SC3461 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:. | 集電極最大允許電流ICM:. | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:. | 結構:平面型 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:.

應用范圍:功率 | 品牌:Samsung/三星 | 型號:2SA940 A940 | 材料:硅(SI) | 封裝形式:直插型

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:7M0880，1M0680，1M0880 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 是否提供加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:/

應用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:E13005，E13007，E13009 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:50 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:6 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:600

應用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:E13009 J13009 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 用途:L/功率放大 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

應用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:KST2907A KST2907AMTF | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:33 | 集電極最大允許電流ICM:33 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:44 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:22

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:FCF10A60 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應用范圍:開關 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:RJP3047/RJH3047 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 是否提供加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:/

應用范圍:功率 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號:C5297 | 材料:硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:直插型

應用范圍:放大 | 品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:BUK954R2-55B | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 用途:A/寬頻帶放大 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:耗盡型

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:E13009L | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:11