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應用范圍:放大 | 品牌:進口拆機 | 型號:2SK2148 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2sk2654 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2141 2SK2141 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:6A | 跨導:標準 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:600 | 用途:L/功率放大 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:600 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:低 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:35W

應用范圍:放大 | 品牌:進口 | 型號:2SK2196 | 類型:其他IC | 批號:N/A | 加工定制:否 | 封裝:TO-3P

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SK800 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:125 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:15 | 截止頻率fT:。。 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:500

應用范圍:功率 | 品牌:NICHIA日亞 | 型號:2sk1944 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:125 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:.. | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:900

應用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1731 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:11 | 擊穿電壓VCBO:11 | 集電極最大允許電流ICM:11 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:11 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:11

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK1938 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

應用范圍:放大 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK955 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO247

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:K2382 2SK2382 | 材料:硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:TO-220 | 最低起批量:1PC | 營銷方式:拆機 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:K3114 2SK3114 | 材料:硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:TO-220 | 最低起批量:1PC | 營銷方式:拆機 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

種類:三極管 | 品牌:SK | 型號:2SD2494

應用范圍:功率 | 品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SK1837 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-3PL