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應用范圍:開關 | 品牌:進口 | 型號:D209L | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:0.1 | 集電極最大允許電流ICM:20 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:V | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:0.1

應用范圍:功率 | 品牌:進口 | 型號:C4138，2SC4138 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應用范圍:功率 | 品牌:進口 | 型號:三極管2SC3320，C3320，C3306 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應用范圍:達林頓 | 品牌:國產 | 型號:P147 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:-- | 集電極最大允許電流ICM:-- | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:-- | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:--

應用范圍:達林頓 | 品牌:國產 | 型號:P42C | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:--- | 集電極最大允許電流ICM:-- | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:-- | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:--

應用范圍:功率 | 品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:拆機整流管YG805C06，YG805C02，YG902C06 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:to，220 | 反向重復峰值電流:？ | 工作結溫:? | 效率:？

應用范圍:功率 | 品牌:SANKEN | 型號:SE135 | 加工定制:否

品牌:ST/意法 | 型號:9N90 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:. | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:. | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:. | 結構:平面型 | 封裝材料:玻璃封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:. | 應用范圍:開關

應用范圍:帶阻尼 | 品牌:進口 | 型號:IXGM40N60A | 類型:功放IC | 批號:金封管系列

應用范圍:功率 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:K2837 | 材料:硅(Si)

應用范圍:功率 | 品牌:進口 | 型號:C3261，C3994，C4234，C3847 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應用范圍:功率 | 品牌:進口 | 型號:BYV52 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應用范圍:功率 | 品牌:進口 | 型號:BUF420A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應用范圍:功率 | 品牌:進口拆機 | 型號:BU508DF BUF420A BU508A BU508D | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型

應用范圍:放大 | 品牌:進口拆機 | 型號:2SK2148 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應用范圍:功率 | 品牌:SanKen/三墾 | 型號:2SC4706 | 材料:硅(SI)，硅(SI)，硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:--- | 集電極最大耗散功率PCM:60 | 集電極最大允許電流ICM:16 | 截止頻率fT:2

應用范圍:放大 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:C4977 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:40 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:2 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:600

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2545 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

應用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:BC556A BC556B | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:22 | 集電極最大允許電流ICM:22 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:33 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:11

應用范圍:功率 | 品牌:HARRIS/哈里斯 | 型號:4N100 | 材料:硅(Si)