品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):2SD1313,2SD1314 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 針腳數(shù):3
≥1000 個(gè)
¥3.80
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K11A60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個(gè)
¥0.50
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K538 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個(gè)
¥0.70
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K15A60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個(gè)
¥0.70
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K5A50 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個(gè)
¥0.30
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K2601 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
100-999 個(gè)
¥0.80
1000-1999 個(gè)
¥0.75
≥2000 個(gè)
¥0.70
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K2953 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
≥100 個(gè)
¥0.95
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K2718 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
≥500 個(gè)
¥0.35
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K10A60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個(gè)
¥0.55
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK1120,K1120 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個(gè)
¥2.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2sk2850 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:20 | 跨導(dǎo):25 | 開(kāi)啟電壓:500 | 夾斷電壓:500 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:425 | 最大耗散功率:218
≥1000 個(gè)
¥0.01
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K2607 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
100-999 個(gè)
¥1.10
≥1000 個(gè)
¥0.95
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K4110 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個(gè)
¥0.50
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K4111 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個(gè)
¥0.45
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K2662 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個(gè)
¥0.30
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K2717 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個(gè)
¥0.42
品牌:東芝、富士通等 | 型號(hào):2SJ304 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 最大漏極電流:供應(yīng)各種拆機(jī)及原裝場(chǎng)效應(yīng)管,歡迎咨詢惠顧! | 跨導(dǎo):供應(yīng)各種拆機(jī)及原裝場(chǎng)效應(yīng)管,歡迎咨詢惠顧! | 開(kāi)啟電壓:供應(yīng)各種拆機(jī)及原裝場(chǎng)效應(yīng)管,歡迎咨詢惠顧! | 夾斷電壓:供應(yīng)各種拆機(jī)及原裝場(chǎng)效應(yīng)管,歡迎咨詢惠顧! | 低頻噪聲系數(shù):供應(yīng)各種拆機(jī)及原裝場(chǎng)效應(yīng)管,歡迎咨詢惠顧! | 極間電容:供應(yīng)各種拆機(jī)及原裝場(chǎng)效應(yīng)管,歡迎咨詢惠顧! | 最大耗散功率:供應(yīng)各種拆機(jī)及原裝場(chǎng)效應(yīng)管,歡迎咨詢惠顧!
≥10000 個(gè)
¥0.01
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K2607 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個(gè)
¥1.20
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K2391 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
¥1.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK3569,K3569 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
¥1.00