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品牌:FUJI/富士通 | 型號:P12NM50/K3469/K3696 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FUJI/富士通 | 型號:K2647 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:FUJI/富士通 | 型號:K3505 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK2753 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FUJI/富士通 | 型號:K2101 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FUJI/富士通 | 型號:K2022 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FUJI/富士通 | 型號:K3326 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:? | 低頻噪聲系數:? | 極間電容:?

品牌:FUJI/富士通 | 型號:K1982 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FUJI/富士通 | 型號:K2003 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FUJI/富士通 | 型號:K2651 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK3264 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:東芝、富士通等 | 型號:2SJ304 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 最大漏極電流:供應各種拆機及原裝場效應管，歡迎咨詢惠顧! | 跨導:供應各種拆機及原裝場效應管，歡迎咨詢惠顧! | 開啟電壓:供應各種拆機及原裝場效應管，歡迎咨詢惠顧! | 夾斷電壓:供應各種拆機及原裝場效應管，歡迎咨詢惠顧! | 低頻噪聲系數:供應各種拆機及原裝場效應管，歡迎咨詢惠顧! | 極間電容:供應各種拆機及原裝場效應管，歡迎咨詢惠顧! | 最大耗散功率:供應各種拆機及原裝場效應管，歡迎咨詢惠顧!

品牌:FUJI/富士通 | 型號:K2645 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK2648 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK2850 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FUJI/富士通 | 型號:1MBH15D-060，1MBH15D-120，1MBH20-060 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK2080/2SK2081/2SK2082 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(SI)

品牌:FUJI/富士通 | 型號:K2645 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK2761 K2761 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK1944 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷