品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):2SD1313,2SD1314 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 針腳數(shù):3
≥1000 個(gè)
¥3.80
品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):P12NM50/K3469/K3696 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥5000 個(gè)
¥0.46
品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):K349 K794 K1120 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個(gè)
¥1.20
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF1405 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥200 個(gè)
¥1.20
品牌:ST/意法 | 型號(hào):6N60 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.30
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFPS37N50A/37N50 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 針腳數(shù):3
≥1000 個(gè)
¥3.70
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):SPP07N60C3 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
500-1999 個(gè)
¥0.55
2000-4999 個(gè)
¥0.52
≥5000 個(gè)
¥0.50
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):07N60C3 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個(gè)
¥0.65
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):A1986/C5358 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 針腳數(shù):3
≥1000 個(gè)
¥1.20
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):A1962/C5242 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 針腳數(shù):3
≥1000 個(gè)
¥1.20
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):A1986/C5358 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 針腳數(shù):3
≥1000 個(gè)
¥1.20
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):2SA1962/2SC5242 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 針腳數(shù):3
≥1000 個(gè)
¥1.20
品牌:KEC | 型號(hào):B778/D998 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 針腳數(shù):3
≥1000 個(gè)
¥1.10
品牌:進(jìn)口 | 型號(hào):RJP30E3/RJP63F3 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 針腳數(shù):3
≥1000 個(gè)
¥1.30
品牌:進(jìn)口 | 型號(hào):RJP30E3/RJP63F3 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 針腳數(shù):3
≥1000 個(gè)
¥1.20
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP31N50L 31N50 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:31 | 跨導(dǎo):. | 開(kāi)啟電壓:500 | 夾斷電壓:500 | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
≥200 個(gè)
¥5.50
品牌:進(jìn)口 | 型號(hào):2SC4237,C4237 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
¥1.50
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):k1812 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:30 | 跨導(dǎo):1 | 開(kāi)啟電壓:300 | 夾斷電壓:300 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥100 個(gè)
¥1.70
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):2SK2765 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.85
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP450,IRFP450A,IRFP460 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
¥1.30