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- 場(chǎng)效應(yīng)管k369612A500V
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):P12NM50/K3469/K3696 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥5000 個(gè)
  
  ￥0.46
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 K2647 進(jìn)口儀器
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):K2647 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管2SK3505 K3505
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):K3505 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢(xún) 價(jià)
- 富士通2SK2753場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)口
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):2SK2753 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- 100-999 個(gè)
  
  ￥1.20
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥1.18
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管2SK2101 K2101
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):K2101 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管2SK2022 K2022
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):K2022 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.30
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管TOP222.TOP223.TOP224
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):K3326 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:? | 低頻噪聲系數(shù):? | 極間電容:?
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.35
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管2SK1982 K1982
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):K1982 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 2SK2003 K2003
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):K2003 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.30
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管2SK2651 K2651
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):K2651 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.45
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管2SK3264 K3264
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):2SK3264 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.45
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管K2645
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):K2645 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥1.50
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管2SK2648，K2648
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):2SK2648 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥1.00
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管2SK2850，K2850
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):2SK2850 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥1.10
- 詢(xún) 價(jià)
- 1MBH15D-060，1MBH15D-120，1MBH20-060
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):1MBH15D-060，1MBH15D-120，1MBH20-060 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.85
- 詢(xún) 價(jià)
- 三極管2SK2081/2SK2082
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):2SK2080/2SK2081/2SK2082 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(SI)
- ≥100 個(gè)
  
  ￥1.05
- 詢(xún) 價(jià)
- 進(jìn)口場(chǎng)效應(yīng)管K2645 mos管K2645、mos管
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):K2645 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 100-999 個(gè)
  
  ￥0.60
- 1000-4999 個(gè)
  
  ￥0.58
- ≥5000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢(xún) 價(jià)
- 2SK2761 K2761 件場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):2SK2761 K2761 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.80
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管2SK1944 mos管2SK1944 、mos管
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):2SK1944 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.95
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管2SK947 已
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):K947 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢(xún) 價(jià)