應用范圍:放大 | 品牌:SPTECH | 型號:2SC3858 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:MT200
≥1 PCS
￥3.50
應用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC3281 | 材料:硅(SI)
≥100 PCS
￥14.00
應用范圍:放大 | 品牌:SPTECH | 型號:2SC3058 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3
≥1 PCS
￥20.00
≥2
￥220.00
應用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SA1943，2SC5200 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3PL | 集電極最大耗散功率PCM:150 | 擊穿電壓VCBO:230 | 集電極最大允許電流ICM:15 | 極性:N/P型 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是
≥1 PCS
￥5.00
應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:2N6277 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 擊穿電壓VCBO:180 | 集電極最大允許電流ICM:50 | 截止頻率fT:120
≥10 PCS
￥5.45
應用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:2N3773 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3 | 類型:其他IC | 處理器速度:N/A | 封裝:TO-3P
10-99 PCS
￥1.50
100-999 PCS
￥1.40
≥1000 PCS
￥1.35
應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:2N3773 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO3
≥1 PCS
￥2.00
應用范圍:功率 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號:TT2148 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插
應用范圍:達林頓 | 品牌:ST/意法 | 型號:TIP127 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:65 | 擊穿電壓VCBO:100 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:0 | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否
應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:TIP122 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 擊穿電壓VCBO:100 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 截止頻率fT:0
≥50 PCS
￥1.40
應用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SA1943，2SC5200 | 材料:硅(SI) | 封裝形式:直插型
≥100 PCS
￥5.00
應用范圍:功率 | 品牌:Motorola/摩托羅拉 | 型號:MJ11016 | 封裝形式:TO-3
1-49 個
￥5.00
≥50 個
￥4.80
應用范圍:功率 | 品牌:TRANSUN【原裝芯片】 | 型號:三極管 BU508A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:功率型 | 集電極最大耗散功率PCM:150 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 截止頻率fT:1
≥10 PCS
￥4.50
應用范圍:開關 | 品牌:FUJI（日本富士通） | 型號:2sc3320 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P | 集電極最大耗散功率PCM:80 | 擊穿電壓VCBO:500 | 集電極最大允許電流ICM:15 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝
類型:其他IC | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SC3320 | 功率:W | 封裝:TO-3P | 批號:以實物為準
10-499 PCS
￥3.50
≥500 PCS
￥3.00
應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:1300 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:90 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 截止頻率fT:A
≥1000 個
￥0.20
應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:10N60C | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO220
10-499 PCS
￥3.00
≥500 PCS
￥2.50
品牌:CET/華瑞 | 型號:CES2313 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
應用范圍:放大 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PMBT3906 | 材料:硅(Si)
≥3000 PCS
￥0.04