應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:原裝芯片 | 型號:三極管 C4237 | 材料:硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:功率型 | 集電極最大耗散功率PCM:300 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 截止頻率fT:1
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:原裝芯片國內(nèi)封裝 | 型號:三極管C3998 C4237 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:功率型 | 擊穿電壓VCBO:1500 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 截止頻率fT:1
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:C3320 2SC3320 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:陶瓷直插 | 最低起批量:1PC | 營銷方式:拆機(jī)
≥1 個
￥2.00
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:【原裝芯片】 | 型號:BU508A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:300 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 截止頻率fT:1
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:【原裝芯片】 | 型號:三極管 BU508A | 材料:硅(SI) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:250 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 截止頻率fT:1
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SC3320 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:POWER | 型號:TOP234YN | 材料:硅(Si) | 封裝形式:ZIP
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TTA1943 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型
≥1000 PCS
￥0.01
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SC2246 | 材料:硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:直插型
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號:BU508A | 材料:硅(SI) | 封裝形式:直插型
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:BUX48A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:C2625，2SC2625 | 封裝形式:直插型 | 功率:. | 封裝材料:金屬封裝 | 封裝:TO3P
100-999 PCS
￥2.50
≥1000 PCS
￥2.40
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 進(jìn)口 | 型號:SOT-23 TL431 BAT54 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:100 | 集電極最大允許電流ICM:0.5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:100 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否
≥3000 PCS
￥0.13
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:BU208A | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:DIP | 封裝外形:WAFER/裸芯片 | 用途:NF/音頻(低頻) | 種類:絕緣柵(MOSFET)
10-199 個
￥11.00
200-1999 個
￥10.00
≥2000 個
￥8.90
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:JM | 型號:2SC3834 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:【原裝芯片】 | 型號:三極管 BU508A C3998 C4237 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:功率型 | 集電極最大耗散功率PCM:150 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 截止頻率fT:1
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:SS8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:2SA1204 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:JAPAN | 型號:C5243，C5244A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:/ | 集電極最大允許電流ICM:/ | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:/ | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否
≥100 PCS
￥0.10
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:HY | 型號:2SC3998 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:塑料封裝
10-499 個
￥11.50
500-1999 個
￥11.00
≥2000 個
￥10.50