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應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):2SA1204 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型

類型:穩(wěn)壓IC | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SD1007 | 功率:120V 0.7A 2W | 用途:儀器 | 封裝:SOT-89 | 批號(hào):2013

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:國(guó)產(chǎn)/進(jìn)口 | 型號(hào):3DD6H | 材料:硅(Si) | 封裝形式:F-2 | 結(jié)構(gòu):合金型 | 類別:直插 | 發(fā)貨期限:3

調(diào)研方式:實(shí)地調(diào)研、市場(chǎng)重點(diǎn)區(qū)域監(jiān)測(cè)、抽樣調(diào)研與各界平臺(tái)合作等 | 市場(chǎng)范圍:產(chǎn)品、上下游產(chǎn)業(yè)鏈、企業(yè)、技術(shù)、發(fā)展前景、區(qū)域監(jiān)測(cè)等

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:國(guó)產(chǎn)長(zhǎng)電 | 型號(hào):SS8050 Y1 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):MMBT5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):MMBT5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):C2078 | 材料:硅(SI) | 封裝形式:直插型 | 功率:高頻管 | 針腳數(shù):TO-220 | 封裝:to-220

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):2SA1298 IO IY pnp 長(zhǎng)電科技晶體管 優(yōu)良品質(zhì) | 材料:硅(Si) | 封裝形式:sot-23 | 包裝:3000pcs

種類:場(chǎng)效應(yīng)管 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):SPP16N50C3

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號(hào):SVD2N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝形式:TO-220 | 應(yīng)用范圍:功率

類型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFL9110 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 屬性:屬性值

類型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):BFG194 | 封裝形式:貼片型 | 極性:PNP型 | 材料:硅(Si) | 加工定制:否 | 應(yīng)用范圍:功率

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號(hào):MA3039-H(TX)+ DTA143TE TL KTA1504S-Y-RTK/P IRLML63 | 材料:鍺(Ge) | 集電極最大耗散功率PCM:貼片/直插三極管 | 集電極最大允許電流ICM:貼片/直插三極管 | 截止頻率fT:貼片/直插三極管

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號(hào):MJF15030G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220-3 | 集電極最大耗散功率PCM:36 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 截止頻率fT:30

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF740PBF | 封裝形式:DIP-220

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):2SC3320 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3PL

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):MMBT5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23