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應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H20R1203 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-247 進口原裝

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IHW20N120R3 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-247

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H25R1203 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H20R120 H20R1202 K20T120 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P | 應用范圍:功率

類型:穩壓IC | 品牌:INFINEON | 型號:H15R1202 | 功率:0 | 封裝:TO-247 | 批號:15+

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IHW20N120R3 | 封裝形式:TO-247

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H15R1203 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H20T1202 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON | 型號:H20R1202 | 材料:其他 | 封裝形式:TO-247

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IHW20N120R2 TO-3P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IHW20N120R3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 電壓:1200V | 電流:20A | 封裝:TO-247

品牌:Infineon(英飛凌） | 型號:IHW30N120R2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H25T120 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P

類型:其他IC | 品牌:INFINEON | 型號:H20R1203 | 功率:00 | 封裝:TO-247 | 批號:14+

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H25R1203 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H20R1202 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H25R1202 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:20R120H20R1202H20R1203 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H25T120H25T1202 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H15R120H15R1202 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插