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應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IHW20N120R3 | 封裝形式:TO-247

應(yīng)用范圍:復(fù)合 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):三四五六七端穩(wěn)壓IC | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO220/TO220FTO-3P/TO-247

產(chǎn)品類型:功率二極管 | 是否進(jìn)口:否 | 品牌:FSC | 型號(hào):IHW20N120R2 | 封裝:TO-3P | 針腳數(shù):3 | 批號(hào):15+

類型:其他IC | 品牌:元器件 | 型號(hào):TGW42N60D | 用途:其他 | 封裝:TO-220 | 批號(hào):2014

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):H15R1203 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:元器件 | 型號(hào):TGW12N120 | 功率:3.6A/1200V/40W | 用途:其他 | 封裝:TO-220 | 批號(hào):2014

類型:其他IC | 品牌:元器件 | 型號(hào):TGW23N120D | 用途:其他 | 封裝:TO-220 | 批號(hào):2014

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):H20T1202 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P

產(chǎn)品類型:功率二極管 | 是否進(jìn)口:否 | 品牌:FSC | 型號(hào):IHW30N120R2 | 封裝:TO-3 | 針腳數(shù):3 | 批號(hào):15+

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON | 型號(hào):H20R1202 | 材料:其他 | 封裝形式:TO-247

類型:其他IC | 品牌:元器件 | 型號(hào):TGW32N120 | 用途:其他 | 封裝:TO-220 | 批號(hào):2014

類型:其他IC | 品牌:元器件 | 型號(hào):TGW20N50D | 功率:20A/500V/100W | 用途:其他 | 封裝:TO-251 | 批號(hào):2014

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IHW20N120R2 TO-3P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IHW20N120R3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 電壓:1200V | 電流:20A | 封裝:TO-247

品牌:Infineon(英飛凌） | 型號(hào):IHW30N120R2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):H25T120 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P

品牌:其他 | 型號(hào):場(chǎng)效應(yīng)管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型