品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):H25R1202 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
5-49 個(gè)
¥7.00
50-499 個(gè)
¥6.00
≥500 個(gè)
¥5.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FGA25N120ANTD,F(xiàn)GA25N120,25N120 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 跨導(dǎo):標(biāo)準(zhǔn) | 開(kāi)啟電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 夾斷電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn) | 最大耗散功率:標(biāo)準(zhǔn)
≥100 個(gè)
¥8.50
品牌:英飛凌 | 型號(hào):H15R1203 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
10-99 個(gè)
¥7.00
100-999 個(gè)
¥6.50
≥1000 個(gè)
¥6.20
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRG4PH40UD | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1-49 個(gè)
¥4.50
50-199 個(gè)
¥4.15
≥200 個(gè)
¥4.10
品牌:ST/意法 | 型號(hào):GT35J321 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | N/A:N/A
1-9 個(gè)
¥9.00
≥10 個(gè)
¥8.00
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):H20R1203 IHW20N120R3 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥30 個(gè)
¥6.00