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- H30R1602 IHW30N160R 330A 1600V 電磁爐IGBT管 TO-247
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):H30R1602 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
- ≥1 個(gè)
  
  ￥3.20
- 詢(xún) 價(jià)
- 絕緣柵雙極型電磁爐功率管IGBT管H20R1203
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):H20R1203 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:VA/場(chǎng)輸出級(jí) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插
- 100-999 個(gè)
  
  ￥1.80
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥1.70
- 詢(xún) 價(jià)
- 英飛凌 TO-247 H25R1202 場(chǎng)所效應(yīng)管IGBT 專(zhuān)應(yīng)于電磁爐
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):H25R1202 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
- 5-49 個(gè)
  
  ￥7.00
- 50-499 個(gè)
  
  ￥6.00
- ≥500 個(gè)
  
  ￥5.00
- 詢(xún) 價(jià)
- 電磁爐IGBT,IHW20N120R3
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IHW20N120R2，IHW20N120R3，H20T1202，H20T1203 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 開(kāi)啟電壓:1200
- ≥240 個(gè)
  
  ￥8.00
- 詢(xún) 價(jià)
- 進(jìn)口電磁爐管，IGBT管K15T120，F(xiàn)GA15N120
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):K15T120 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥2.00
- 詢(xún) 價(jià)
- 電磁爐管H20T120 IGBT
  
  類(lèi)型:通信IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):H20T120 | 電源電壓:220 | 功率:0 | 頻率:0 | 用途:0 | 封裝:DIPSOP | 批號(hào):2012+ | 集電極最大允許電流ICM:20 | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:100
- 詢(xún) 價(jià)
- H20R1203 H20R1202美的奔騰電磁爐進(jìn)口IGBT管
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):H20R1203 IHW20N120R3 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
- ≥30 個(gè)
  
  ￥6.00
- 詢(xún) 價(jià)
- 電磁爐管H15R1202，上機(jī)
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):H15R1202 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極
- ≥10 個(gè)
  
  ￥2.50
- 詢(xún) 價(jià)
- 英飛凌半導(dǎo)體電磁爐專(zhuān)用IGBT IHW20N120R2 20A1200V
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IHW20N120R2 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 個(gè)
  
  ￥8.50
- 詢(xún) 價(jià)
- 電磁爐/微波爐專(zhuān)用英飛凌IGBT H20R1203
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):H20R1203 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:VA/場(chǎng)輸出級(jí) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 10-999 個(gè)
  
  ￥6.50
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥6.00
- 詢(xún) 價(jià)
- 電磁爐IGBT功率管 1200V H20R1203 國(guó)產(chǎn)貨
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):H20R1203 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:VA/場(chǎng)輸出級(jí) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 屬性:屬性值
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： igbt功率管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥3.50
- 詢(xún) 價(jià)
- IGBT H20T120 H20R1202 H20R1203 電磁爐專(zhuān)用管三極管
  
  類(lèi)型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):H20R1202 | 功率:1 | 用途:H20R1202 | 封裝:TO247 | 批號(hào):13+
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： h20r1202三極管 igbt三極管
- ≥1 PCS
  
  ￥2.50
- 詢(xún) 價(jià)
- H20R1202電磁爐IGBT
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):H20R1202 | 溝道類(lèi)型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:5 | 擊穿電壓VCBO:1200 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:40 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應(yīng)用范圍:放大
- ≥100 PCS
  
  ￥5.00
- 詢(xún) 價(jià)
- IHW20N120R3電磁爐IGBT管英飛凌
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IHW20N120R3 | 溝道類(lèi)型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:5 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:20 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:1200 | 應(yīng)用范圍:放大
- ≥100 PCS
  
  ￥7.60
- 詢(xún) 價(jià)
- IGBT電磁爐管 H30R1103 K25T120 FGA25N120
  
  類(lèi)型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):H30R1103 K25T120 FGA15N120 | 擊穿電壓VCBO:0 | 集電極最大允許電流ICM:0 | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:0 | 材料:硅(Si) | 應(yīng)用范圍:帶阻尼
- ≥50 PCS
  
  ￥0.10
- 詢(xún) 價(jià)
- 『澤發(fā)電子』電磁爐專(zhuān)用IGBT管 K25T120
  
  種類(lèi):場(chǎng)效應(yīng)管 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):K25T120
- ≥50 PCS
  
  ￥3.60
- 詢(xún) 價(jià)