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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGA25N120ANTD，FGA25N120，25N120 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:標準 | 跨導:標準 | 開啟電壓:標準 | 夾斷電壓:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:標準

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGA25N120 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDMC86259P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGL40N120ANDTU | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:電磁爐，電焊機，變頻 器 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 開啟電壓:1200 | 夾斷電壓:1200

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGA25N120 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGA25N120ANTD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA25N120 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:電磁爐 | 夾斷電壓:1200

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGA25N120ANTD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGA25N120ANTD | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 擊穿電壓VCBO:1200 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:50 | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 是否提供加工定制:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 應用范圍:放大

種類:場效應管 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGL60N170D