品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
≥100 個
¥1.20
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
1-99 個
¥3.50
100-999 個
¥3.00
≥1000 個
¥2.97
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥10 個
¥3.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF250 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC
≥100 個
¥1.90
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP244 , IRFP250M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | N/A:N/A
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP4332PBF IRFP4332 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個
¥15.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250 IRFP250N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個
¥1.40
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N IRFP250NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個
¥5.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
10-29 個
¥3.50
30-999 個
¥3.20
≥1000 個
¥3.15
品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRFP264PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個
¥0.10
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥10 個
¥0.66
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
100-999 個
¥1.35
1000-4999 個
¥1.30
≥5000 個
¥1.28
品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRFP264PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 功耗:280W | 電壓:250V | 電流:38A
≥50 個
¥5.50
品牌:HARRIS/哈里斯 | 型號:IRFP250N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥10 千克
¥1.30
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N.IRFP250 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥4 個
¥3.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC
≥1 個
¥1.80
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 類型:其他IC | 批號:環保新貨 | 封裝:TO247
≥1 千克
¥3.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功率:- | 輸入電壓:- | 輸出電壓:-
≥10 個
¥3.00