品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥10 個(gè)
¥1.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP4232 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個(gè)
¥9.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個(gè)
¥3.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 主要參數(shù):ID=30A, VDSS=200V, RDS(on)=75.0mΩ, PD=214W
500-999 個(gè)
¥0.92
1000-1999 個(gè)
¥0.85
≥2000 個(gè)
¥0.83
品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRFP250 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:P-FET硅P溝道
≥500 個(gè)
¥1.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
10-99 個(gè)
¥3.00
100-999 個(gè)
¥2.70
≥1000 個(gè)
¥2.69
品牌:IR 國際整流半導(dǎo)體 | 型號:IRFP250N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導(dǎo):1
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
100-499 千克
¥3.00
500-999 千克
¥2.80
≥1000 千克
¥2.75
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥10 個(gè)
¥3.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 批號:13+ | 封裝:TO-247
10-99 個(gè)
¥3.50
≥100 個(gè)
¥3.00