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品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3078 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT89-3Pin | 應(yīng)用范圍:放大

品牌:ST/意法 | 型號:STW12NK90Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:TO-247 | 應(yīng)用范圍:功率

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:TIP122 | 材料:SB肖特基勢壘柵 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 用途:MIN/微型 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ANPEC/茂達(dá) | 型號:APM2307 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23-3

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:SI2301 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23-3

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJD200G | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:耗盡型

應(yīng)用范圍:振蕩 | 品牌:BDB | 型號:6N60 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220

應(yīng)用范圍:振蕩 | 品牌:BDB | 型號:2N60 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-251

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF9610 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 應(yīng)用范圍:功率

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:FSC/仙童 | 型號:KSE44H11 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 產(chǎn)品類型:其他 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型

應(yīng)用范圍:振蕩 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:5N50F | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:500

應(yīng)用范圍:振蕩 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:10N80F | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:9 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:800

品牌:SHINDENGEN/新電元 | 型號:K2197 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:2SK3522 | 材料:硅(Si)

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:WILLSEMIC | 型號:WNM4001-3/TR | 材料:標(biāo)準(zhǔn) | 封裝形式:SOT-523

品牌:ST/意法 | 型號:TIP32C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大穩(wěn)定工作電流:請參考規(guī)格書 | 極數(shù):三極 | 散熱功能:帶散熱片

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:H | 型號:BT33F | 材料:其他 | 封裝形式:3腳 | 封裝外形:SP/特殊外形

品牌:SANKEN | 型號:SE140 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1 | 應(yīng)用范圍:開關(guān)

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXFH26N60Q | 溝道類型:其他 | 是否提供加工定制:是 | 應(yīng)用范圍:磁敏