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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF640N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

應用范圍:功率 | 品牌:KEC | 型號:2SC4375 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 結構:點接觸型 | 是否提供加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:30

品牌:MOTOROLA/摩托羅拉 | 型號:MTY25N60E. | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STP14NK50Z P14NK50Z | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SENSEFET電流敏感

產品類型:其他 | 是否進口:是 | 品牌:ANPEC | 型號:APM2300AAC-TRL | 材料:其他 | 工作溫度范圍:150（℃） | 功耗:W | 批號:13+

品牌:IR/國際整流器 | 型號:B23N15D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:30 | 低頻噪聲系數:50 | 極間電容:1000

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB11N50APBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:30 | 低頻噪聲系數:50 | 極間電容:100

品牌:Rohm/羅姆 | 型號:RTQ030P02 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

品牌:ST/意法 | 型號:STB21NM60ND B21NM60ND | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:SB肖特基勢壘柵 | 跨導:33 | 最大漏極電流:33 | 開啟電壓:33 | 夾斷電壓:33 | 低頻噪聲系數:3 | 極間電容:33 | 最大耗散功率:3

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFBC30PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:場效應管 | 批號:2014+ | 封裝:TO-220

產品類型:其他 | 是否進口:是 | 品牌:ANALOGPOWER | 型號:AM2300N-T1-PF | 材料:其他 | 封裝:SOT-23 | 工作溫度范圍:150（℃） | 功耗:W | 針腳數:3 | 批號:13+