品牌:ST/意法 | 型號:STP140NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:15 | 最大漏極電流:140 | 開啟電壓:75
≥500 個
￥1.00
品牌:ST/意法 | 型號:STP140NF75 STP65NF06 60NF06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
2000-9999 個
￥0.40
10000-19999 個
￥0.39
≥20000 個
￥0.38
品牌:ST/意法 | 型號:STP140NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥2000 個
￥1.00
品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:80000 | 跨導:0 | 開啟電壓:75 | 夾斷電壓:0 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:0 | 最大耗散功率:0
品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:20S | 最大漏極電流:80A | 開啟電壓:2-4 | 夾斷電壓:0 | 最大耗散功率:300W
≥50 個
￥1.60
品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 低頻噪聲系數:11 | 極間電容:V
10000-49999 個
￥0.65
≥50000 個
￥0.60
品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 P75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個
￥0.48
品牌:ST/意法 | 型號:P60NF06.65N06.P75NF75 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
≥500 個
￥0.01
品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
￥0.40
品牌:ST/意法 | 型號:75nf75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
￥0.42
品牌:ST/意法 | 型號:75NF75，P75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
￥0.40
應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:P75NF75/75NF75 | 材料:硅(Si)
≥10000 PCS
￥0.35
品牌:ST/意法 | 型號:P75NF75 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 最大漏極電流:111 | 低頻噪聲系數:1 | 封裝:TO-220
500-4999 個
￥0.55
5000-49999 個
￥0.53
≥50000 個
￥0.51
品牌:IR/國際整流器 | 型號:75N75 P75NF75 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
5-499 個
￥1.00
500-2999 個
￥0.90
≥3000 個
￥0.85
品牌:ST/意法 | 型號:P75NF75 75N75 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:A | 截止頻率fT:MHZ
≥1000 個
￥0.40