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- MCH6401/復合雙MOS管 N溝道 20V 4A SOT-363/高速開關/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號:MCH6401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.5W | 最大漏極電流ID:4A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： n溝道m(xù)os管開關mos管
- ≥3000 個
  
  ￥0.75
- 詢價
- 可控硅 BTA16-600B 三極管場效應管 ST
  
  品牌:ST/意法 | 型號:BTA16-600B | 控制方式:雙向 | 極數(shù):三極 | 封裝材料:塑料封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:普通 | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:中頻 | 功率特性:中功率 | 額定正向平均電流:16（A） | 控制極觸發(fā)電流:50（mA） | 最大穩(wěn)定工作電流:16（A） | 反向重復峰值電壓:600（V）
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： st可控硅 st三極管
- ≥10 PCS
  
  ￥1.00
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- NTHS2101PT1G/復合雙MOS管 P溝道 -8V -7.5A 8-SMD/ON
  
  品牌:ON/安森美 | 型號:NTHS2101PT1g | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.3W | 最大漏極電流ID:-5.4A | 最大源漏電壓VDSS:-8V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5a場效應管復合mos管
- ≥3000 個
  
  ￥0.85
- 詢價
- HN1K02FU/復合雙N溝道場效應管MOS 20V 50mA SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:HN1K02FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應管 n溝道場效應管東芝場效應管
- ≥3000 個
  
  ￥0.35
- 詢價
- HN1K03FU/復合場效應管MOS管雙N溝道 20V 0.1A SOT-363/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:HN1K03FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 n溝道m(xù)os管 n溝道場效應管
- ≥3000 個
  
  ￥0.35
- 詢價
- CPH5608/雙N溝道耗盡型MOS管共源極 100V 0.4A SOT-153/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號:CPH5608 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： n溝道m(xù)os管
- ≥3000 個
  
  ￥0.50
- 詢價
- AOS美國萬代場效應管MOS管AON3806
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AON3806 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:2 個 N 溝道（雙） | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:8-SMD，扁平引線裸焊盤 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos場效應管美國mos管萬代mos管
- 詢價
- AOS美國萬代場效應管MOS管AO7801
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO7801 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:2 個 P 溝道（雙） | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos場效應管美國mos管萬代mos管
- 詢價
- 2N7002VA-7/復合MOS管雙N溝道 60V 0.28A SOT-563/DIODES
  
  品牌:DIODES/美臺 | 型號:2N7002VA-7 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 7n60場效應管 n溝道m(xù)os管復合mos管
- ≥3000 個
  
  ￥0.23
- 詢價
- 3SK242/雙柵N溝道場效應管MOS 20V 25mA SOT-343/RF放大混頻/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號:3SK242 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應管 n溝道場效應管
- ≥3000 個
  
  ￥0.70
- 詢價
- 3SK132A/RF放大/雙柵極 N溝道增強型場效應管MOS/SOT-143/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號:3SK132A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TUN/調(diào)諧 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:0.025A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應管 n溝道場效應管
- ≥3000 個
  
  ￥0.70
- 詢價
- 雙NMOS 芯片電子器件貼片MOS管場效應管SD4800 SOP8 技術
  
  品牌:SD | 型號:SD4800 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：電子芯片場效應管mos管電子貼片
- ≥2500 個
  
  ￥0.01
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- 手電筒26650電池保護板雙MOS管大電流，26650-3.7V圓形電池保護板
  
  加工定制:是 | 品牌:FDC（富鼎成科技） | 型號:26650/26500 | 配件名稱:PCB | 額定電壓:3.7V | 產(chǎn)品認證:ROHS
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場效應管大電流mos管
- 500-999 個
  
  ￥1.50
- 1000-4999 個
  
  ￥1.40
- ≥5000 個
  
  ￥1.30
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- FDC6561AN-NL SOT163 雙N溝道MOS管場效應管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC6561AN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:N-FET硅N溝道 | 功率耗散:0.9W
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：仙童mos管 n溝道m(xù)os管 n溝道場效應管
- ≥10 個
  
  ￥0.22
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- 高壓mos管雙MOS管 FQPF8N60C TO-220F仙童高壓mos 雙mos管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF8N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：仙童mos管高壓mos管
- 詢價
- FDS4953 FAIRCHILD仙童雙P溝道增強型MOS管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDS4953 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：仙童mos管增強型mos管
- 詢價