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應用范圍:功率 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:GT50J102 GT50J101 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-3PL

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT15Q101 | 最大漏極電流:，，，， | 封裝外形:SP/特殊外形 | 開啟電壓:，，，，， | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:，，，， | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:，，， | 極間電容:，，，，， | 最大耗散功率:，，，，

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K1117 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:。 | 開啟電壓:。 | 夾斷電壓:。 | 低頻噪聲系數:。 | 極間電容:。 | 最大耗散功率:。

應用范圍:復合 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:三四五六七端穩壓IC | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO220/TO220FTO-3P/TO-247

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT50J322，GT50J327 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:50 | 開啟電壓:1000 | 夾斷電壓:1000 | 低頻噪聲系數:35 | 極間電容:35 | 低頻跨導:35 | 最大耗散功率:280

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT15J101 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:GT60M303 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

類型:電源模塊 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:MG300Q2YS40 | 電源電流:300 | 電源電壓:1800 | 功率:面議 | 針腳數:無 | 封裝:IGBT模塊 | 批號:面議 | 供應商類型:經銷商

應用范圍:復合 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:三四五六七端穩壓IC | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO220/TO220FTO-3P/TO-247

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:45G127 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 封裝:TO-220F

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:30F122 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 封裝:TO-220F

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:30F126 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 封裝:TO-220F

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT15J101 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:GT50J322/JT50J101/GT50J102 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 針腳數:3

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:GT50J322/JT50J101/GT50J102 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 針腳數:3

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:30F124 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT60M303 GT30J322 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P | 應用范圍:功率

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT40M301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT60M302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT30J322 .GT60N321 | 用途:電視機 | 封裝:TO-3PL | 批號:拆機