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應用范圍:功率 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:GT50J102 GT50J101 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-3PL

品牌:進口拆機 | 型號:IRFBC40 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | **:**

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP048 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:. | 低頻跨導:.

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT15Q101 | 最大漏極電流:，，，， | 封裝外形:SP/特殊外形 | 開啟電壓:，，，，， | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:，，，， | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:，，， | 極間電容:，，，，， | 最大耗散功率:，，，，

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K1117 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:。 | 開啟電壓:。 | 夾斷電壓:。 | 低頻噪聲系數:。 | 極間電容:。 | 最大耗散功率:。

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:5N120，5N120BND | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA38N30 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:. | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:. | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:進口 | 型號:K15T60 15T60 15A600V | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型

應用范圍:復合 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:三四五六七端穩壓IC | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO220/TO220FTO-3P/TO-247

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF840B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:FS3KM-18 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT50J322，GT50J327 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:50 | 開啟電壓:1000 | 夾斷電壓:1000 | 低頻噪聲系數:35 | 極間電容:35 | 低頻跨導:35 | 最大耗散功率:280

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 類型:其他IC | 最大漏極電流:，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，， | 開啟電壓:，，，，，，，，，，，，，，，，，，， | 夾斷電壓:，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，， | 低頻噪聲系數:，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，， | 極間電容:，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，， | 最大耗散功率:，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，， | 低頻跨導:，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，

品牌:IR/國際整流器 | 型號:G20N50C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 封裝形式:TO-247 | 應用范圍:功率

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT15J101 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:電源模塊 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:1MBH30D-060 | 封裝:TO-3PL | 批號:+5 | 產品性質:熱銷 | 營銷方式:現貨 | 導電類型:雙極型 | 處理信號:模擬信號 | 集成程度:小規模 | 規格尺寸:1 | 工作溫度:-40~125 | 靜態功耗:200 | 制作工藝:半導體集成