品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC40W | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個
¥2.30
類型:電源模塊 | 品牌:SEMIKRON | 型號:SK15DGDL126ET | 封裝:模塊 | 批號:模塊系列 | 是否提供加工定制:是
≥1 PCS
¥11.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4PC40F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
¥2.70
≥50 個
¥4.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC50U | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
¥3.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PH40U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
≥10 個
¥3.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGA25N120 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
1000-2999 個
¥2.50
≥3000 個
¥2.30
類型:電源模塊 | 品牌:EUPEC/Infineon | 型號:FP15R12KE3G | 電源電流:15A | 電源電壓:1200V | 功率:小 | 針腳數:多 | 封裝:全新、拆機
類型:電源模塊 | 品牌:歐派克 | 型號:FF1200R17KE3 | 電源電流:111 | 電源電壓:111 | 功率:25 | 封裝:模塊 | 批號:原裝+拆機
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:9N90 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極
≥100 個
¥1.00
品牌:富士通 | 型號:1MBH50D-060 1MH50-060 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | --:--
≥100 個
¥6.50
品牌:ST/意法 | 型號:STGW38IH130D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極
品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PF50WD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道
≥100 個
¥3.00
類型:其他IC | 品牌:FE/FUJI | 型號:2MBI100N-060 | 功率:小 | 封裝:全新原裝、拆機 | 批號:12+
≥10 個
¥24.00
≥50 個
¥1.80
≥100 個
¥2.00
品牌:RENESAS/瑞薩 | 型號:RJP56F4A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 封裝:TO-220F
5-49 個
¥1.80
50-99 個
¥1.60
≥100 個
¥1.50
品牌:進口品牌 | 型號:GT15M321 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道,N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC
≥1 個
¥1.40
類型:電源模塊 | 品牌:SEMIKRON | 型號:SK35GD065ET | 封裝:模塊 | 批號:模塊系列 | 是否提供加工定制:是
≥1 PCS
¥11.00