品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):GT60M303 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥10 個(gè)
￥3.50
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):K50T60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥10 個(gè)
￥3.60
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):G4PH50U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥10 個(gè)
￥2.70
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):K50T60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:功放 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGAAS鋁鎵砷
≥1 個(gè)
￥5.50
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):GT40M301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥100 個(gè)
￥5.00