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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP048 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:. | 低頻跨導:.

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K1117 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:。 | 開啟電壓:。 | 夾斷電壓:。 | 低頻噪聲系數:。 | 極間電容:。 | 最大耗散功率:。

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 類型:其他IC | 最大漏極電流:，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，， | 開啟電壓:，，，，，，，，，，，，，，，，，，， | 夾斷電壓:，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，， | 低頻噪聲系數:，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，， | 極間電容:，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，， | 最大耗散功率:，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，， | 低頻跨導:，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，

品牌:IR/國際整流器 | 型號:G20N50C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 封裝形式:TO-247 | 應用范圍:功率

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:GT60M303 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGA15N120ANTD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGA25N120ANTD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK2850 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:IXYS | 型號:IXGF25N250 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGA25N120 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT40M301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷