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- 場效管FQA38N30
  
  類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA38N30 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:. | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:. | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
- ≥50 個
  
  ￥2.50
- 詢價
- FGH60N60SFD FGH60N60UFD FGH60N60SMD 件 IGBT管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGH60N60UFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個
  
  ￥5.50
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- FGH40N60SFD FGH40N60UFD FGH40N60SMD 件 IGBT管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGH40N60SFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個
  
  ￥4.00
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- IGBT G4PC50FD IRG4PC50FD 進口
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC50FD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 件
  
  ￥2.90
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- IGBT G4PH50UD IRG4PH50UD 進口
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PH50UD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)
- 100-999 件
  
  ￥3.00
- ≥1000 件
  
  ￥2.95
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- 進口G30N60RUFD G30N60場效應
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G30N60RUFD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極
- ≥10 個
  
  ￥3.00
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- 進口IGBT管 GP35B60PD GP35B60PD1
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:GP35B60PD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 個
  
  ￥3.50
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- IRG4BC20S IRG4BC20F進口
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4BC20F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極
- ≥100 個
  
  ￥3.00
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- 市IGBTGT15J101 品種各異
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT15J101 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥50 個
  
  ￥3.50
- 詢價
- IGBT G4PH50UD IRG4PH50UD 進口
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PH50UD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si) | 主要參數:1200V 45/24A
- ≥10 個
  
  ￥4.40
- 詢價
- IGBT G4PC50W IRG4PC50W 進口
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC50W | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:硅(Si) | 主要參數:600V 27A
- ≥50 個
  
  ￥2.00
- 詢價
- IGBT G4PH50U IRG4PH50U 進口
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PH50U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
- ≥10 個
  
  ￥2.70
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- G4PH50S進口件
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PH50S | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極
- ≥100 個
  
  ￥2.50
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- IGBT G50N60RUFD G50N60 進口
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:G50N60RUFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 主要參數:600V 50A IGBT
- ≥10 個
  
  ￥6.50
- 詢價
- IGBT G4PC40KD IRG4PC40KD 進口
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC40KD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 個
  
  ￥3.00
- 詢價
- IGBT G4PC40S IRG4PC40S 進口
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC40S | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 個
  
  ￥2.60
- 詢價
- IGBT G4PC50FD IRG4PC50FD 進口
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC50FD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個
  
  ￥4.80
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- IGBT G4PC40W IRG4PC40W 進口
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC40W | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥100 個
  
  ￥2.30
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- IGBT G4PC50U IRG4PC50U 進口試
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC50U | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 個
  
  ￥3.00
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- IGBT G4PH40U IRG4PH40U 進口試
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PH40U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
- ≥10 個
  
  ￥3.50
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