類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA38N30 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:. | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:. | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
≥50 個
¥2.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGH60N60UFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個
¥5.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGH40N60SFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個
¥4.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC50FD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 件
¥2.90
品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PH50UD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)
100-999 件
¥3.00
≥1000 件
¥2.95
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G30N60RUFD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極
≥10 個
¥3.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:GP35B60PD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
¥3.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4BC20F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極
≥100 個
¥3.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT15J101 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥50 個
¥3.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PH50UD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si) | 主要參數:1200V 45/24A
≥10 個
¥4.40
品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC50W | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:硅(Si) | 主要參數:600V 27A
≥50 個
¥2.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PH50U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥10 個
¥2.70
品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PH50S | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極
≥100 個
¥2.50
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:G50N60RUFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 主要參數:600V 50A IGBT
≥10 個
¥6.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC40KD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
¥3.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC40S | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
¥2.60
品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC50FD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個
¥4.80
品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC40W | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個
¥2.30
品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC50U | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
¥3.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PH40U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
≥10 個
¥3.50