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種類:場效應管 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G23N60UFD

品牌:其他 | 型號:IGBT模塊 | 應用范圍:電源 | 整流元件:其他

類型:電源模塊 | 品牌:三菱 | 型號:QM400HA-2HB | 電源電流:QM400HA-2HB | 電源電壓:IGBT模塊 | 功率:IGBT模塊 | 針腳數:IGBT模塊 | 用途:儀器 | 封裝:IGBT模塊 | 批號:2014+

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H30R1602 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:其他 | 型號:IGBT模塊 | 應用范圍:電源 | 整流元件:其他

類型:穩壓IC | 品牌:進口名牌 | 型號:FQA15N120 2SK2611 LM7824 LM7905 5M0265 5M0280 | 功率:20W-150W | 用途:電視機 | 封裝:TO220 TO3P TO263 | 批號:拆機

種類:場效應管 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G23N60UFD

類型:其他IC | 品牌:SANKEN | 型號:2SC3264 | 用途:SW-REG/開關電源 | 最大漏極電流:1 | 跨導:56 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:500 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:200 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:25 | 極間電容:23 | 最大耗散功率:1.2

品牌:進口 | 型號:50N60.G50N60RUFD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G40N60UFD.40N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G80N60UFD.80N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

種類:場效應管 | 品牌:Hitachi/日立 | 型號:RJH60F5

類型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:15N60C3 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:. | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:. | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:FUJI/富士通 | 型號:1MBH75D-060S | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 封裝形式:直插型 | 應用范圍:功率

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGA70N33BTD | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:. | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:. | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT15Q101 | 封裝:拆機/散新 | 批號:TO-3P | 封裝形式:TO-3P | 應用范圍:放大

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT40Q321 GT40Q322 GT40Q323 | 封裝:拆機/散新 | 批號:TO-3P