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品牌:FSC/仙童 | 型號:FDP050AN06A0 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT60M303 GT30J322 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P | 應用范圍:功率

品牌:ST/意法 | 型號:STGW38IH130D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT40M301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

應用范圍:帶阻尼 | 品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:H25R1202 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-247

應用范圍:帶阻尼 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGA40N60UFD FGA40N60UFD | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P

品牌:SAK日本三肯 | 型號:C4706 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT60M302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PH50UD IRG4PH50UD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極

類型:電源模塊 | 品牌:Siemens/西門子 | 型號:IGBT-RSN 462000 | 封裝:模塊 | 批號:模塊系列

類型:電源模塊 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:6MBI50S-120 | 封裝:模塊 | 批號:模塊系列 | 加工定制:是

種類:場效應管 | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRGP4086

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT30J322 .GT60N321 | 用途:電視機 | 封裝:TO-3PL | 批號:拆機

類型:其他IC | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:1MBH60-100 | 用途:電視機 | 封裝:TO-3PL | 批號:拆機

種類:場效應管 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:1MBH50D-060

種類:場效應管 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:1MBH15D-060