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應用范圍:復合 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:三四五六七端穩壓IC | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO220/TO220FTO-3P/TO-247

類型:其他IC | 品牌:PS21867-P | 型號:PS21867-P | 功率:標準 | 封裝:三菱IGBT | 批號:15+

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:K50T60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

類型:電源模塊 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:2MBI100NE-120 | 封裝:IGBT | 批號:0+ | 產品性質:熱銷 | 營銷方式:拆機 | 導電類型:雙極型 | 集成程度:中規模 | 規格尺寸:. | 工作溫度:-40~125 | 靜態功耗:. | 制作工藝:半導體集成

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H15R1203 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:K40T120 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGA25N120ANTD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK2850 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:RENESAS/瑞薩 | 型號:RJP30Y2A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 封裝:TO-220F

品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PC50FD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:G4PH50UD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G30N60RUFD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極

應用范圍:功率 | 品牌:其他 | 型號:配對管

品牌:其他 | 型號:場效應管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型

品牌:其他 | 型號:場效應管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型

品牌:其他 | 型號:場效應管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型