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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:WAFER/裸芯片 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:IR | 型號:IRF1407PBF | 功率:1 | 封裝:TO-220 | 批號:13+

品牌:IR | 型號:IRF1407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:MES金屬半導體

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:進口/臺灣國產 | 型號:IRF1407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 功率:1 | 用途:CHOP/斬波，限幅 | 封裝:TO-220

類型:穩壓IC | 品牌:IR | 型號:IRF1407PBF | 功率:8 | 用途:音響 | 封裝:TO-220AB | 批號:2015

類型:通信IC | 品牌:進口原裝IR國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 功率:0-199 | 封裝:TO/SOT | 批號:12+13+14+

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407，IRF1405 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR | 型號:IRF1407PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR | 型號:IRF1407PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型