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類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF-墨西哥 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:---------- | 開啟電壓:------- | 夾斷電壓:-------- | 低頻噪聲系數:----------- | 極間電容:--------- | 最大耗散功率:----------- | 低頻跨導:-----------

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

應用范圍:復合 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:三四五六七端穩壓IC | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO220/TO220FTO-3P/TO-247

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:其他 | 型號:44865044709 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF，IRFP4004PBF，IRFP22N60KPBF，IRF9640STRLPB | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝:TO220

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407STRLPBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 內阻:7.8mΩ | 電壓:75V | 電流:130A

品牌:IR | 型號:IRF1407PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

應用范圍:功率 | 品牌:IR | 型號:IRF1407S | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-263

品牌:IR | 型號:IRF1407SPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道