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類型:通信IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 封裝:TO-220 | 批號:1023+

應用范圍:功率 | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407 | 材料:硅(Si)

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407 | 用途:電腦 | 封裝:TO-220 | 批號:1026+ | 產品性質:熱銷 | 營銷方式:現貨 | 導電類型:單極型 | 處理信號:模擬信號 | 集成程度:小規模 | 工作溫度:-40~125 | 制作工藝:膜集成

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:IR | 型號:IRF1407PBF | 功率:MOS(場效應管) | 封裝:MOS(場效應管) | 批號:15+

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:MES金屬半導體

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:Ncepower新潔能 | 型號:NCE75H14 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:IR | 型號:IRF1407PBF | 功率:--- | 封裝:TO-220 | 批號:---

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:09+ | 封裝:TO-220

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407，IRF1405 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:* | 跨導:* | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:* | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:* | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407 | 用途:A/寬頻帶放大 | 最大漏極電流:130 | 跨導:20 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:75 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:85 | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:20 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:152