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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR | 型號:IRF1407STRL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 品質保證:原裝正品，假一罰十 | 特色服務:可開增值稅發票 | 應用范圍:電源

品牌:IR/國際整流器 | 型號:場效應管IRF1407PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝:TO-220 | 批號:15+ | 最大漏極電流:130000 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:100000 | 開啟電壓:20 | 夾斷電壓:75 | 最大耗散功率:3800

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407 | 用途:AM/調幅 | 封裝:TO220 | 批號:12 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407 | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 用途:A/寬頻帶放大 | 材料:P-FET硅P溝道 | 溝道類型:P溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:耗盡型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道