品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRF840APBF | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:8 | 跨導(dǎo):10 | 開(kāi)啟電壓:100 | 夾斷電壓:500 | 低頻噪聲系數(shù):2 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:125
≥1 個(gè)
￥0.20
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRF840PBF | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:8 | 跨導(dǎo):11 | 開(kāi)啟電壓:500 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數(shù):0.8 | 極間電容:0.6 | 最大耗散功率:125
≥1 個(gè)
￥0.20
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRF840PBF | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:8A | 跨導(dǎo):4.9 | 開(kāi)啟電壓:2-4 | 夾斷電壓:0 | 最大耗散功率:125W
≥50 個(gè)
￥1.80
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):IRF840B/IRFS840B TO-220/F | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開(kāi)啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥1 個(gè)
￥1.65
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRF840 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大穩(wěn)定工作電流:請(qǐng)參考規(guī)格書(shū) | 極數(shù):三極 | 封裝材料:金屬封裝
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF840 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10-2499 個(gè)
￥3.00
≥2500 個(gè)
￥2.00
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF840 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SB肖特基勢(shì)壘柵 | 最大漏極電流:` | 跨導(dǎo):` | 開(kāi)啟電壓:` | 夾斷電壓:` | 低頻噪聲系數(shù):` | 極間電容:` | 最大耗散功率:`
≥1 PCS
￥1.90
品牌:國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):IRF840B | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:8A | 開(kāi)啟電壓:2-4 | 夾斷電壓:0 | 最大耗散功率:125W
≥50 個(gè)
￥1.50
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRF840PBF | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1
100-499 個(gè)
￥1.70
500-999 個(gè)
￥1.50
≥1000 個(gè)
￥1.45
品牌:ST/意法 | 型號(hào):IRF840 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
≥100 個(gè)
￥0.45
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):IRF840 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
≥100 個(gè)
￥0.50
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF840 TO-220 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 關(guān)斷速度:普通 | 極數(shù):二極 | 封裝材料:金屬封裝
≥1000 個(gè)
￥1.68
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF840 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET)，絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道，N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型，增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大，A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插，CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道，N-FET硅N溝道 | 擊穿電壓VCBO:500 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 截止頻率fT:-
≥500 千克
￥0.80