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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF840B IRF840 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si)

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF840PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝:TO-220

類型:其他IC | 品牌:TOS/IRF | 型號:2SK2679 | 封裝:TO-220/F | 批號:12+

品牌:HX | 型號:IRF840C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:HEMT高電子遷移率

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840ASTRL IRFBC20PBF IRFU120NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 夾斷電壓:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:33 | 開啟電壓:33 | 夾斷電壓:33

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840PBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF840PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840ASTRLPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF840APBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF840PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:正品 | 型號:IRF840PBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 類型:其他 | 批號:2014+ | 封裝:TO-220

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840APBF IRF840A | 功率:22 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝:TO220 | 批號:新年份 | 最大漏極電流:22 | 跨導:22 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840 TO-220AB | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840PBF | 封裝:TO-220 | 批號:12+ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:L2203N IRL2203N L2203 IRF840A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:HEMT高電子遷移率 | 跨導:251 | 開啟電壓:1200 | 低頻噪聲系數:010 | 最大耗散功率:0