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品牌:ST/意法 | 型號:P90NF03L | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:ST/意法 | 型號:P80NF10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

品牌:ST/意法 | 型號:STP80NF03-6 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:IRF540 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:TO-220-3 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:K1388 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STF21NM50N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:TO-220-3 整包 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STF10NM65N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:ST/意法 | 型號:STP80NF70 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:TO-220-3 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:ST/意法 | 型號:IRF830 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STP12N65M5 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:ST/意法 | 型號:STP90N55F4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:ST/意法 | 型號:STW13N95K3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:ST/意法 | 型號:STW8NK80Z. | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:TO-247-3 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:P3020 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:V-FET/V型槽MOS

品牌:ST/意法 | 型號:IRF530 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 跨導:/ | 最大漏極電流:/ | 開啟電壓:/ | 夾斷電壓:/ | 低頻噪聲系數:/ | 極間電容:// | 最大耗散功率:/

品牌:ST/意法 | 型號:STP20NK50Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:ST代理，原裝正品 | 跨導:ST代理，原裝正品 | 開啟電壓:ST代理，原裝正品 | 夾斷電壓:ST代理，原裝正品 | 低頻噪聲系數:ST代理，原裝正品 | 極間電容:ST代理，原裝正品 | 最大耗散功率:ST代理，原裝正品

品牌:ST/意法 | 型號:STP6NM60N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:原廠規格 | 低頻噪聲系數:原廠規格 | 極間電容:原廠規格

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:P40N03 P40NF03L 40T03GP 40N03GP 40N03P | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型