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品牌:TRANSISTO | 型號:KSC9435BDY | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MIX/混頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:30CPT100 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵

品牌:臺產 | 型號:NTD25P03LG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:JX | 型號:AP9435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:JX | 型號:MT9435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IR2130PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:國產 | 型號:SI2301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:博明 | 型號:BCR401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 型號:IXTK82N25P | 材料:P-FET硅P溝道 | 用途:L/功率放大 | 品牌:IXYS/艾賽斯 | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:增強型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP360PBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:NIKO-SEM | 型號:P5506NVG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 型號:AO4620 | 材料:P-FET硅P溝道 | 用途:MIX/混頻 | 品牌:AOS/美國萬代 | 溝道類型:N 和 P 溝道，N 和 P 溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:耗盡型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF8788 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF7853 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4803A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4803A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:TP0101T-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3415 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:PJ/普羅強生 | 型號:4435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:9.1A | 跨導:1 | 開啟電壓:1-3 | 夾斷電壓:50 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:2.5W